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元件参数资料
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参数目录34314
> DZT5551-13 TRANSISTOR BIPO NPN 160V SOT-223
型号:
DZT5551-13
RoHS:
无铅 / 符合
制造商:
Diodes Inc
描述:
TRANSISTOR BIPO NPN 160V SOT-223
详细参数
数值
产品分类
分离式半导体产品 >> 晶体管(BJT) - 单路
DZT5551-13 PDF
其它图纸
SOT-223 Package Top
SOT-223 Package Side 1
SOT-223 Package Side 2
标准包装
1
系列
-
晶体管类型
NPN
电流 - 集电极 (Ic)(最大)
600mA
电压 - 集电极发射极击穿(最大)
160V
Ib、Ic条件下的Vce饱和度(最大)
200mV @ 5mA,50mA
电流 - 集电极截止(最大)
-
在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE)
80 @ 10mA,5V
功率 - 最大
1W
频率 - 转换
300MHz
安装类型
表面贴装
封装/外壳
TO-261-4,TO-261AA
供应商设备封装
SOT-223
包装
标准包装
产品目录页面
1575 (CN2011-ZH PDF)
其它名称
DZT5551DIDKR
查看DZT5551-13代理商
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